Outro é o método de fase gas-, método de deposición química de vapor (CAV), tamén coñecido como método de pirólise, método seco ou método de combustión. As súas materias primas son xeralmente tetracloruro de silicio, osíxeno (ou aire) e hidróxeno, que reaccionan a altas temperaturas.
The reaction equation is: SiCl4+2H2+O2 - >SiO2+4HCl. O aire e o hidróxeno son sometidos respectivamente a presurización, separación, arrefriamento e deshidratación, secado de xel de sílice, eliminación de po e filtración antes de ser enviados ao forno de hidrólise sintética. Despois de que a materia prima de tetracloruro de silicio sexa enviada á columna de destilación para a súa destilación, quéntase e evaporase no evaporador, e despois envíase ao forno de hidrólise sintética con aire seco e filtrado como portador. O tetracloruro de silicio vaporízase a altas temperaturas (temperatura da chama 1000-1800 graos) e despois sofre hidrólise en fase gas-con certa cantidade de hidróxeno e osíxeno (ou aire) a uns 1800 graos. Neste punto, as partículas de sílice en fase gas xeradas son extremadamente finas e forman aerosois cos gases, que son difíciles de captar.
Polo tanto, primeiro agréganse en partículas máis grandes nun agregador, despois recóllense por un separador de ciclóns e envían a un forno de desacidificación. A sílice en fase gas-lávase con aire que contén nitróxeno- ata que o valor de PH é de 4 a 6, que é o produto acabado